應用說明
將機殼內部的陽極氧化層或鎂鋁合金剝除，起到導電的作用，要求阻抗值低，底紋細膩、白色。

工藝參數
激光器類型：20W-M1+ -S 、30W-M1+ -S
場鏡：F＝210mm、254mm
填充類型：弓形填充
功率：85%
填充密度：0.04-0.06mm
脈寬：100ns
頻率：50-80KHz
速度：2000-3500mm/s

工藝分析
M1+使用100ns底紋更白，更細膩，相對于調Q激光器效率更高，阻值更小。

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